29 de setembro de 2008

Samsung prepara módulos de memoria 8GB e 16GB




Samsung disse começou a amostragem 50 nm DDR3, permitindo módulos de memória eficiente em energia e com até 16 de GB de capacidade.

A empresa afirmou que às amostras de 50 nm são chips de 2GB DDR3, que oferecem duas vezes a densidade atual de 1 GB e economiza mais de 40 % da energia quando comparado ao seus antecessores. Samsung disse que fabricou chips 2 GB resultando num ganho de produtividade de 60%.

A empresa afirmou que a nova fabricação em 55nm permite configurações de até 8 GB para RIMMs, bem como 4 GBs para Notebooks SODIMMs. Usando placa de circuito dupla(chips de memoria nas 2 faces), a densidade sobe a 16 GB para aplicações de Desktop e servidor.

Samsung disse que os dispositivos de 2 GB tem taxas de dados de até 1.3 GB/s em 1.5v ou 1.35v. Samsung disse que ele irá começar a produção em massa de 2 GB ainda este ano.

Seria um pouco apresado e otimista esperar que os módulos de 16 GB ou de 8 GB se torne uma opção acessível para computadores convencionais no proximo ano: módulos 8 GB DDR3 ainda não estão amplamente disponíveis e mesmo módulos DDR2 nessa capacidade estão custando bem mais de $1000

0 comentários:

Artigos recentes

Comentários recentes